每日资讯 2019-08-07创建
 
三星推出单芯256Gb 3bit NAND颗粒固态硬盘:采用第六代V-NAND颗
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三星推出了采用第六代3bit V-NAND SSD颗粒的SSD,再次实现突破,此次首发将针对OEM供应,消费级产品预计在今年年底前推出。 

三星推出单芯256Gb 3bit NAND颗粒固态硬盘:采用第六代V-NAND颗

第六代V-NAND颗粒比第五代在密度上,增加约40%,采用100+层堆叠设计,实际上可由136层导电模堆叠,采用通道孔蚀刻技术,从而实现俊园的3D 电荷CTF单元。 

三星推出单芯256Gb 3bit NAND颗粒固态硬盘:采用第六代V-NAND颗

性能方面,和第五代相比,提升10%,能耗降低15%,单芯容量高达256Gb,读写延迟分别为45μs微秒和450μs微秒。 

三星推出单芯256Gb 3bit NAND颗粒固态硬盘:采用第六代V-NAND颗

除此之外,三星表示将扩大韩国Pyeongtaek园区的产能计划,推出单芯512Gb容量颗粒的3bit V-NAND SSD和eUFS,从而满足全球用户需求。

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